氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3
碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，
N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册.pdf》资料免费下载
75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册.pdf》资料免费下载
60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册.pdf》资料免费下载
60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65HE数据手册.pdf》资料免费下载
50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UH数据手册.pdf》资料免费下载
40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册.pdf》资料免费下载
10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC资料文档.pdf》资料免费下载
近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A
封装IGBT单管 /
-2封装，具有2个引脚，不仅增加了安规距离，提高了可靠性，而且适用于多种应用场景。
圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065（
/6A SiC二极管 /
发力CGM和车规低功耗蓝牙新赛道 汇顶科技亮相2024慕尼黑上海电子展
